導讀五、性能測試:6nm新U!天璣1100首秀場vivo S9是聯發科5G新U——天璣1100的首發機型。天璣1100所采用的是臺積電6nm制程工藝,其沿用了7n...
五、性能測試:6nm新U!天璣1100首秀場 vivo S9是聯發科5G新U——天璣1100的首發機型。 天璣1100所采用的是臺積電6nm制程工藝,其沿用了7nm工藝的設計規則。臺積電現在的7nm工藝有兩個版本,第一代7nm(N7)采用傳統DUV光刻技術,第二代7nm+(N7+)則是首次加入EUV極紫外光刻。 6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術,相比7nm+(N7+)增加了一個極紫外光刻層,同時相比7nm(N7)可將晶體管密度提升18%,而且設計規則完全兼容7nm(N7),便于升級遷移,降低成本,相比之下7nm+(N7+)則是另一套設計規則。 CPU方面,天璣1100采用4+4架構,包含4個主頻為2.6GHz的Cortex-A78以及4個2.0GHz的Cortex-A55。 GPU部分,vivo S9所搭載的天璣1100集成9個Mali-G77核心,相比較天璣1000 Plus沒有任何變化。 我們使用PerfDog和Geekbench采集手機的CPU、GPU功耗數據并計算CPU、GPU能效比,具體方法如下:測試機型設置統一為最低亮度,使用同一版本的Geekbench。 先使用Prefdog測試功耗,先將手機所有后臺關閉,亮度最低,僅開啟WiFi,測試手機在此時的空載功耗,具體方法為選擇手機桌面為測試軟件,將手機靜置不做任何操作,得到一段功耗曲線和平均功耗值,對數值進行記錄。 再分別使用Geekbench、GFXbench進行跑分,跑分時采集平均功耗數據并減去空載數據,得到手機處理器的功耗。結合測試結果,最終便得到了幀率、功耗,以及由此計算得出的能耗比數據。 為了更為直觀地感受兩者區別,我們直接測試結果和能效比計算結果匯總到以下表格當中,以供參考。
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